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Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能

TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装,RthJC低至0.45 C/W,ID高达144 A,从而提高功率密度

http://www.gkong.com 2024-11-21 09:33 来源:Vishay

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® SO-8S(QFN 6x5)封装的全新150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP,旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比,Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %,导通电阻和栅极电荷乘积(功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)降低了15.4 %,RthJC降低了62.5 %,而连续漏极电流增加了179 %。

日前发布的器件具有业内先进的导通电阻(10 V 时为 5.6 m)以及导通电阻和栅极电荷乘积FOM(336 m*nC),可最大限度降低传导造成的功率损耗。因此,设计人员能够提高效率,满足下一代电源的要求,例如6 kW AI服务器电源系统。此外,PowerPAK SO-8S封装具有超低的 0.45 °C/W RthJC,可实现高达144 A的持续漏极电流,从而提高功率密度,同时提供强大的SOA能力。

SiRS5700DP非常适合同步整流、DC/DC转换、热插拔开关和OR-ing功能。典型应用包括服务器、边缘计算、超级计算机和数据存储;通信电源;太阳能逆变器;电机驱动和电动工具;以及电池管理系统。MOSFET符合RoHS标准且无卤素,经过100 % Rg和UIS测试,符合IPC-9701标准,可实现更加可靠的温度循环。器件的标准尺寸为6 mm × 5 mm,完全兼容PowerPAK SO-8封装。

SiRS5700DP现可提供样品并已实现量产。关于订货周期信息,请联系您当地的销售办事处。

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