三菱电机株式会社近日（2025年1月14日）宣布，将于2月15日起开始提供新型工业用LV100封装1.2kV IGBT模块样品，适用于太阳能和其他可再生能源发电系统。该模块采用第8代绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片，有助于降低太阳能发电系统、储能电池等电源系统中逆变器的功率损耗，提高逆变器的输出功率。

工业用LV100封装1.2kV IGBT模块（CM1800DW-24ME）

该模块将在第39届电子研发、制造和封装技术博览会（NEPCON JAPAN 2025；1月22-24日，东京国际展览中心）以及北美、欧洲、中国等地的展览上展出。

近年来，作为能够降低碳排放的关键器件，功率半导体的需求正在增加。功率半导体模块可以用于可再生能源的功率转换设备，比如太阳能发电和储能电池等电源系统的逆变器。为了实现低碳社会，提高电源系统的发电和储能效率以及降低系统功耗变得日益重要，因此要求功率半导体模块具有更高的转换效率和输出功率。

三菱电机自1990年推出搭载IGBT的功率半导体模块以来，在消费、汽车、工业和铁路领域得到了广泛应用，以优异的性能和高可靠性受到高度评价。现已开发出的第8代IGBT，具有独特的分离式栅极沟槽（SDA1）和可以控制载流子的等离子体层（CPL2）结构。

与现有产品3相比，采用第8代IGBT芯片的新型LV100封装1.2kV模块可将太阳能发电系统、储能电池等逆变器的功耗降低约15%4。此外，通过优化IGBT和二极管芯片布局，实现了1800A的额定电流，是上述现有产品的1.5倍，有助于提高逆变器的输出功率。此外，该模块的传统封装易于并联连接，可以兼容多种功率等级的逆变器设计。

随着对功率半导体需求的增加，三菱电机期待在各个领域降低电力电子设备的能耗，并快速稳定地提供此类产品，以支持绿色转型（GX）。

产品特点

搭载第8代IGBT，使逆变器功率损耗降低15%

与第7代IGBT相比，独特的SDA结构有助于抑制dv/dt5，并实现更高的开关速度，有望降低导通开关损耗。

独特的CPL结构抑制了关断浪涌电压，与第7代IGBT相比芯片更薄。

通过将额定电流提高到1800A，有助于提高逆变器的输出功率

优化的芯片布局实现了1800A的额定电流，是现有产品3的1.5倍。

利用现有的LV100封装简化并联设计

采用现有封装简化了并联设计，可以兼容多种功率等级的逆变器设计。使用现有封装简化了现有产品的替换，缩短了逆变器的设计过程。